製品
NEMST-HPE2018 series
マイクロ波プラズマエッチング装置
- 高性能マイクロ波プラズマ発生源設計：プラズマ密度 約10¹¹～10¹³ /cm³
- 特殊ガス分散プレート設計により、均一なプラズマ生成を実現
- フィルタード・プラズマ設計により、基板／製品へのダメージを低減
- 独自の電子サイクロトロン共鳴（ECR）設計により、高密度プラズマを生成し、石英隔離板の寿命を延長
- 大面積基板の処理に対応
- 高速エッチングを実現、通常 1 ～ 10 μm/min のエッチング速度を達成。
- プラズマ処理の均一性が高く、90%以上を維持。
- 低溫処理が可能（温度制御 120℃ 以内）。
- 製品への損傷（ダメージ）を与えません。
- 500 mm × 600 mm などの大面積基板のプラズマ処理に対応。
- 高分子材料： ポリイミド、パリレン、FR4、BT、テフロン等。
- シリコン材料： 単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン等。
- パッシベーション膜： 窒化シリコン (Si3N4) または 酸窒化シリコン (SiON)。
- 誘電体材料： 二酸化シリコン (SiO2)、High-k、Low-k 材料等。
- 化合物半導体： GaN、GaAs、InP、SiC 等。
- 金属材料： アルミニウム (Al)、チタン (Ti)、金属合金等。
- 特殊材料： サファイア、ダイヤモンド、ITO、PZT 等。
- 半導体および周辺プロセス： 各種半導体プロセス、ウエハ再生 (Wafer Reclaim)。
- 先端パッケージング技術： WLP、PLP、2.5D/3D IC、CoWoS、FOPLP、FOWLP。
- パッケージ基板技術： ICパッケージ基板、サブストレート。
- 光電およびマイクロシステム技術： Micro-LED、MEMS（微小電気機械システム）。